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D&XD&X
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      • シリコンウェハー
        • ベアシリコンウェハ シリコンウェハは日常生活から技術革新に欠かせないものであり、D&Xは様々な仕様に合わせた幅広い製品を提供することを得意としています。
        • SOIウェハ シリコン・オン・インシュレーター(SOI)は、従来のバルクシリコン製法を凌駕し半導体ウエハ技術の飛躍を担っています。
        • 化合物半導体 D&Xは、シリコンカーバイドウェハ(SiC)に焦点を当て、化合物材料の供給だけにとどまらない取り組みを行っています。D&Xは、SiCに特化した複数の生産ラインを確保し、確立された専門知識を活用してお客様の特定の要求にお応えしています。
      • テープ
        • バックグラインディングテープ 強力な密着力により対象を保護し、粘着剤の糊残りはなく、保護面をクリーンに保ちます。また平坦であるため、研削作業に役立ち、凸凹した表面(バンプウェハを含む)にも使用できます。バックグラインディング中のウェハをあらゆる事象から保護します。
        • ダイシングテープ 高度な均一性とエキスパンド性能、チッピングを減少させ、強力な粘着特性、ヒゲを防ぎ、耐熱性も兼ね備えてます。半導体製造における精密で、安定性のあるダイシングを保証します。
        • バンプテープ 極めて薄い研削における反りの軽減、研削/研磨時の耐熱性を確保し、熱剥離時の帯電防止効果や、化学物質、酸および塩基に対する耐性、ハイバンプに対する保護機能で対象を長期間保護します。バックグラインディング中もハイバンプの損傷を防ぎます。
      • その他の材料
        • 石英ウェハ 石英ウェハは、結晶性二酸化ケイ素(SiO2)から作られています。これらのウェハは、石英の特性により、さまざまなハイテク産業で重要な素材として役立ちます。
        • ソーラーウェハ ソーラーウェハは、太陽光から電力を生成するために使用される太陽電池の主要な構成要素であるソーラーパネルの基本的な構成部品です。これらのウェハは、通常は結晶性シリコンから作られていますが、カドミウムテルリドや銅インジウムガリウムセレンなどの薄膜技術など、他の材料でも製造されることがあります。
        • サファイアウェハ サファイアウェハは、結晶性のサファイアから作られており、これは酸化アルミニウム(Al2O3)の一種です。
        • ガラスウェハ ガラスウェハは、形状や機能においてシリコンウェハと類似しており、異なる材料や構造を成膜させたり加工したりするための台座として機能します。
      • 加工サービス
        • 薄膜、金属膜、その他 D&Xは、専門的知識を要する特殊成膜サービスを提供することを得意とし、表面特性を向上させるために高度な技術を適用しています。D&Xの協力パートナーは、多岐にわたる精密な成膜方法を用いて、半導体ウェハに均一で高品質な成膜を施します
        • 精密研削と薄削り D&Xは、厳密な管理を行ったウェハの精密研磨および薄化研磨サービスに特化しており、比類のない自由度とカスタマイズ能力を提供しています。D&Xのパートナーの最新の設備では、さまざまな種類のウェハを厳重に管理し、適宜特定の要件に合わせ使用することができます。
        • ダイシング D&Xの先進的なダイシングサービスは、精度と柔軟性を特徴としています。カスタマイズされたダイシングの能力は、固有の顧客仕様を満たすための当社のコミットメントの証です。さらには、さまざまなパッケージングオプションを提供し、特定のニーズに合わせた構成で提供をします。
        • リソグラフィ D&Xは、リソグラフィサービスの最先端を目指し、顧客の独自の要求に対応する高度にカスタマイズ可能なソリューションを提供しています。リソグラフィは、あらかじめ定義されたパターンをウェハ表面に転写する基本的なプロセスです。
        • バンピング 当社は、半導体製造における重要な工程である高度なバンプ形成サービスにも特化しています。このプロセスはフリップチップバンプ形成とも呼ばれ、半導体パッケージング工程の一つで、ウェハ上のボンディングパッドに金属バンプを追加し、その後、他の半導体デバイスやパッケージング基板と組み立てるものです。
        • ボンディング D&Xは、ボンディングに特化しており、デバイスの統合に不可欠な洗練された半導体製造プロセスです。このプロセスは、2つのウェハまたは材料を結合して単一の統合構造を作成することを含みます。このボンディングプロセスは、MEMSや3D集積回路などのさまざまな先進デバイスの製造に重要です。これは、熱圧着ボンディング、アノードボンディング、ダイレクトボンディング、および接着ボンディングなど、さまざまな技術を用いて実現できます。 当社のウェハボンディングサービスは、精度と柔軟性、サイズが2インチから12インチ、厚さが300μmから775μmまで対応しています。 さらに、異なる材料や異なる直径の2つの材料のボンディングにも優れており、多様な半導体アプリケーションに対する包括的なソリューションを提供しています。
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    • 8-25
    • >20000
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    • 3.61-3.87
    • 1-2
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    • 8000-120000
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    • 7000-10000
    • 5-25
    • <1
    • 0.04-0.06
    • 0.001-0.002
    • 5-30
    • >10000
    • 0.01-0.022
    • 4.5-9
    • 0-1
    • 1-20
    • <10
    • >4000
    • <0.005
    • 1-100
    • 0-100
    • 8-12
    • 10-20
    • 0.903-0.94
    • 1-10
  • Thickness
    • 310±5
    • 600-700
    • 600±20
    • 450±20
    • 690±20
    • 476-489
    • 381±25
    • 600±25
    • 275±25
    • 675±20
    • 380±12
    • 280
    • 380±25
    • 380±20
    • 368±10
    • 320±5
    • 500±10
    • 450±25
    • 300±0.2
    • 460±15
    • 525±25
    • 280±20
    • 280±25
    • 500±15
    • 725±15
    • 280±10
    • 640±10
    • 1500±25
    • 725±5
    • 280±15
    • 153±4
    • 675±25
    • 725±20
    • 625±25
  • Flat/Notch
    • Jeida Flat
      • Jeida Flat
      • Jeida Flat
    • Semi Flat
    • Notch
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    • 0.3um<50ea
    • ≧0.3 ≦10
    • ≦50
  • Surface
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    • 2175
    • 120
    • 5900
    • 50
    • 19
    • 150
    • 600
    • 98
    • 400
    • 20
    • 175
    • 57
    • 63
    • 75
    • 500
    • 550
    • 103
    • 29
    • 950
    • 925
    • 3850
    • 6
    • 375
    • 45
    • 850
    • 225
    • 4400
    • 875
    • 71
    • 25
    • 4000
    • 450
    • 100
    • 200
    • 1825
    • 575
    • 125
    • 275
PRODUCT ID: 02T923280002

SILICON WAFER STOCK 9

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SILICON WAFER STOCK 10

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SILICON WAFER STOCK 8

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SILICON WAFER STOCK 7

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SILICON WAFER STOCK 5

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SILICON WAFER STOCK 4

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    D&X 株式会社

    住所: 〒190-1232 東京都西多摩郡瑞穂町長岡1-1-4

    電話: 042-557-2227

    FAX: 042-557-2228

    メール: sales@dong-xu.co.jp

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    • D&X (Taiwan) Co., Ltd.
    • D&X GmbH
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