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D&Xは、専門的知識を要する特殊成膜サービスを提供することを得意とし、表面特性を向上させるために高度な技術を適用しています。D&Xの協力パートナーは、多岐にわたる精密な成膜方法を用いて、半導体ウェハに均一で高品質な成膜を施します。ウェハ成膜に洗練されたアプローチを加え、お客様のご要望を精度と信頼で満たします。私たちの成膜サービスには、以下が含まれます：
薄膜
金属膜
窒化膜
EPI膜
また、レジスト膜、Poly膜、BPSG+アニール、P-SION膜、多層膜(積層膜)などの他膜種の成膜サービスもあります。
各種の成膜は、特定のアプリケーションや使用される材料の種類に応じてさまざまな目的に使用されます。プロセスは通常、次のステップを含みます：
成膜：ウェハの表面に薄い材料層が堆積されます。これは、化学気相成長（CVD）、物理気相成長（PVD）、またはスピンコーティングなどのさまざまな技術を用いて行われます。
材料の選択：成膜用の材料の選択は、特性や機能に依存します。D&Xは、お客様の特定の基板要件について議論し、成膜に最高品質のウェハを使用して、競争力のある価格と迅速な納品を提供します。
後処理：成膜が施された後、アニールや硬化などの追加のステップが、膜特性を最適化するために実行される場合があります。
薄膜、金属膜、その他
迅速な配達
少量歓迎
高品質
全体的な紹介、弊社の実績
D&Xは、あらゆるソリューションに対し存在意義のあるパートナーとして、薄膜および金属膜、精密研磨および薄削り、ダイシング、リソグラフィ、バンピング、およびボンディングを含む、最高レベルの加工サービスを提供しています。卓越性へのあるコミットメントにより、様々な材料にわたって高品質のサービスを提供しています。これらのすべては、厳密な仕様に合わせたカスタマイズと、競争力のある価格で提供されています。
SiO2
| Method | Film Types | Range (nm) | Tolerance | Uniformity |
|
Thermal
|
Wet Oxide | 50 ~ 20000 | ±10% | <5% |
| Dry Oxide | 20 ~ 400 | ±10% | <5% | |
| RTO | 1.8 ~ 20 | ±10% | <5% | |
| Radical Oxide | 2 ~ 11 | ±10% | <5% | |
|
CVD
|
P-SiO2 | 50 ~ 1000 | ±10% | <10% |
| LP-TEOS | 300 ~ 1000 | ±10% | <5% | |
| P-TEOS | 50 ~ 3000 | ±10% | <5% | |
| HDP | 200 ~ 1000 | ±10% | <10% | |
| O3-TEOS | 34 ~ 4000 | ±10% | <10% |
Metal Film
| Metalic | ||||
| Method | Film Types | Range (nm) | Tolerance | Uniformity |
|
PVD
|
Al-Cu | 100 ~ 1000 | ±10% | <5% |
| Cu | 50 ~ 600 | ±10% | <5% | |
| Al | 100 ~ 1200 | ±10% | <5% | |
| Ti | 10 ~ 300 | ±10% | <5% | |
| Ni, TiN | Ni: 5~200 // TiN: 5~130 | ±10% | <10% | |
| Ti, TaN | 2 ~ 11 | ±10% | <10% | |
| Ti, TiN | Ti: 5~20 // TiN: 5~50 | ±10% | <5% | |
|
CVD
|
W | 50 ~ 100 | ±10% | <10% |
| TiN | 14 ~ 50 | ±10% | <10% | |
| Ti, TiN | Ti: 1~20 // TiN: 1~50 | ±10% | <10% | |
SiN
| SiN | ||||
| Method | Film Types | Range (nm) | Tolerance | Uniformity |
|
CVD
|
LP-HCD SiN | 70 ~ 200 | ±10% | <10% |
| LP-DCS SiN | 70 ~ 200 | ±10% | <10% | |
| P-SiN | 50 ~ 1000 | ±10% | <10% | |
EPI
| EPI | |||
| EPI Types | Thickness (μm) | Tolerance | Uniformity |
| Silicon-Epi | 3 ~ 150 | ±10% | <10% |
|
SiC-Epi
|
0.2 ~ 200 (Silicon face), | ±10% |
<10%
|
| 0.2 ~ 10 (Carbon face) | ±15 ~ 25% | ||
| GaN-Epi | 3 ~ 100 | ±10% | <10% |
| Nitride-Epi | 0.001 ~ 3 | ±10% | <10% |
Others
| Others | ||||
| Method | Film Types | Thickness Range (nm) | Tolerance | Uniformity |
| Coater | RESIST (Krf) | 500 ~ 2700 | ±10% | <5% |
|
CVD
|
LP-Poly | 100 ~ 500 | ±10% | <5% |
| BPSG+Anneal | 300 ~ 1500 | ±10% | <10% | |
| P-SION | 20 ~ 100 | ±10% | <10% | |