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D＆X提供專業的晶圓鍍膜服務，並應用先進工藝改善表面特性。我們采用精密製程在半導體晶圓上施加均勻且高質量的膜，效果上乘，可滿足廣大客戶對精度的要求。
我們提供的鍍膜類型包括：
薄膜
金屬膜
SiN 膜
EPI
除此以外，我們也提供其他鍍膜服務，如 Krf、LP、BPSG+退火、P-SION等。
各種類型的膜均根據特定應用和材料種類而用於不同目的，通常流程如下：
薄膜：在晶圓表面沈積薄薄的材料層。可采用化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）或旋轉塗佈等多種工藝實現。
材料選擇：選擇用於薄膜覆蓋的材料取決於所需的特性和功能。D＆X團隊將討論客戶特定的晶圓要求，並使用最優質的晶圓進行薄膜堆積服務，以提供具有競爭力的價格和快速交付。
後處理：薄膜施加後，可能會執行額外的步驟，如退火或固化，以優化薄膜特性。
鍍膜服務
迅速交貨
歡迎小量訂購
高品質
鍍膜服務
D＆X提供包括薄膜和金屬膜、精密研磨和減薄、晶圓切割、曝光、電極壓合和鍵合等在內的加工服務。
我們致力於為客戶提供高品質且種類繁多的加工服務。
所有加工均根據嚴格規格生產，價格也具有競爭力。
我們致力於為客戶提供高品質且種類繁多的加工服務。
所有加工均根據嚴格規格生產，價格也具有競爭力。
SiO2
| Method | Film Types | Range (nm) | Tolerance | Uniformity |
|
Thermal
|
Wet Oxide | 50 ~ 20000 | ±10% | <5% |
| Dry Oxide | 20 ~ 400 | ±10% | <5% | |
| RTO | 1.8 ~ 20 | ±10% | <5% | |
| Radical Oxide | 2 ~ 11 | ±10% | <5% | |
|
CVD
|
P-SiO2 | 50 ~ 1000 | ±10% | <10% |
| LP-TEOS | 300 ~ 1000 | ±10% | <5% | |
| P-TEOS | 50 ~ 3000 | ±10% | <5% | |
| HDP | 200 ~ 1000 | ±10% | <10% | |
| O3-TEOS | 34 ~ 4000 | ±10% | <10% |
Metal Film
| Metalic | ||||
| Method | Film Types | Range (nm) | Tolerance | Uniformity |
|
PVD
|
Al-Cu | 100 ~ 1000 | ±10% | <5% |
| Cu | 50 ~ 600 | ±10% | <5% | |
| Al | 100 ~ 1200 | ±10% | <5% | |
| Ti | 10 ~ 300 | ±10% | <5% | |
| Ni, TiN | Ni: 5~200 // TiN: 5~130 | ±10% | <10% | |
| Ti, TaN | 2 ~ 11 | ±10% | <10% | |
| Ti, TiN | Ti: 5~20 // TiN: 5~50 | ±10% | <5% | |
|
CVD
|
W | 50 ~ 100 | ±10% | <10% |
| TiN | 14 ~ 50 | ±10% | <10% | |
| Ti, TiN | Ti: 1~20 // TiN: 1~50 | ±10% | <10% | |
SiN
| SiN | ||||
| Method | Film Types | Range (nm) | Tolerance | Uniformity |
|
CVD
|
LP-HCD SiN | 70 ~ 200 | ±10% | <10% |
| LP-DCS SiN | 70 ~ 200 | ±10% | <10% | |
| P-SiN | 50 ~ 1000 | ±10% | <10% | |
EPI
| EPI | |||
| EPI Types | Thickness (μm) | Tolerance | Uniformity |
| Silicon-Epi | 3 ~ 150 | ±10% | <10% |
|
SiC-Epi
|
0.2 ~ 200 (Silicon face), | ±10% |
<10%
|
| 0.2 ~ 10 (Carbon face) | ±15 ~ 25% | ||
| GaN-Epi | 3 ~ 100 | ±10% | <10% |
| Nitride-Epi | 0.001 ~ 3 | ±10% | <10% |
Others
| Others | ||||
| Method | Film Types | Thickness Range (nm) | Tolerance | Uniformity |
| Coater | RESIST (Krf) | 500 ~ 2700 | ±10% | <5% |
|
CVD
|
LP-Poly | 100 ~ 500 | ±10% | <5% |
| BPSG+Anneal | 300 ~ 1500 | ±10% | <10% | |
| P-SION | 20 ~ 100 | ±10% | <10% | |