SOIウェハ

シリコン・オン・インシュレーター（SOI）は、従来のバルクシリコン製法を凌駕し半導体ウエハ技術の飛躍を担っています。また、一般的にシリコン酸化物の薄い絶縁層をシリコン層とシリコン基板の間に取り入れることで、接合容量を著しく低減させます。これにより、従来のバルクCMOS（補完型金属酸化物半導体）ベースのチップと比較して、デバイスは最大15％高速化し、20％省エネを実現します。

SOIの影響は、電子デバイスの効率を向上させ、多様な産業に広がりをみせています。ハイパフォーマンスコンピューティング、通信、自動車、およびIoT(Internet of Things)などの分野で利用されています。SOIは、先端技術を推進する上で不可欠であり、驚異的な速度と省エネを提供します。

D&Xでは、デバイス層、BOX層、およびハンドル層をカスタマイズし、高品質なSOIの提供をしています。強力な生産ラインは主にφ8に向けられていますが、カスタマイズされた仕様の小口径ウェハも生産可能です。D&Xの柔軟性として、最小数量は1枚からであり、研究プロジェクトやR＆D段階にも適しています。