SOI 晶圓

絕緣體上矽（SOI）技術超越了傳統的矽晶圓製程，成為半導體晶圓技術的跨越性發展。一般來是通過在矽層和矽基板之間引入薄矽氧化物絕緣層以降低接觸電容，這使得相比於傳統的體型CMOS（補充金屬氧化物半導體）晶片，設備速度最多提高15％，並實現20％的能源節省。
SOI技術提高了電子設備的效率，在各個行業中得到廣泛應用，包括高性能計算、通訊、汽車和物聯網等領域。SOI技術提供驚人的速度和節能效果，對於推動前沿技術至關重要。

在D&X，我們提供可訂製設備層、絕緣層和處理層的高品質SOI。我們強大的生產線主要針對直徑φ8的SOI，但也可以訂製φ4-φ6的SOI。

D&X的最小訂單量為1片，除大量生產的案件外，亦適合研究項目和研發階段上的使用。