ソーラーウェハは、太陽光から電力を生成するために使用される太陽電池の主要な構成要素であるソーラーパネルの基本的な構成部品です。これらのウェハは、通常は結晶性シリコンから作られていますが、カドミウムテルリドや銅インジウムガリウムセレンなどの薄膜技術など、他の材料でも製造されることがあります。
ソーラーウェハの製造プロセスは、高純度のシリコンインゴットを極めて薄く、そして円形にスライスすることから始まります。これらの円盤はウェハと呼ばれ、表面をテクスチャリングし、ドーピング(特定の不純物を添加して電気特性を変化させる)を行うことで、太陽電池の基礎を形成します。
主要なソーラーウェハのタイプは結晶性シリコンウェハとなり、主に2つのタイプがあります。
一結晶シリコンウェハ:これらは単結晶インゴットから切り出され、均一な結晶構造により効率が高く、優れた電子流動性を提供します。
多結晶シリコンウェハ:これらのウェハは複数のシリコン結晶から作られており、一結晶ウェハよりも安価に製造されますが、やや電子流動性が低くなります。
ソーラーウェハ
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ソーラーウェハ
ソーラーウェハは、太陽光から電力を生成するために使用される太陽電池の主要な構成要素であるソーラーパネルの基本的な構成部品です。これらのウェハは、通常は結晶性シリコンから作られていますが、カドミウムテルリドや銅インジウムガリウムセレンなどの薄膜技術など、他の材料でも製造されることがあります。
ソーラーウェハの製造プロセスは、高純度のシリコンインゴットを極めて薄く、そして円形にスライスすることから始まります。これらの円盤はウェハと呼ばれ、表面をテクスチャリングし、ドーピング(特定の不純物を添加して電気特性を変化させる)を行うことで、太陽電池の基礎を形成します。
主要なソーラーウェハのタイプは結晶性シリコンウェハとなり、主に2つのタイプがあります。
一結晶シリコンウェハ:これらは単結晶インゴットから切り出され、均一な結晶構造により効率が高く、優れた電子流動性を提供します。
多結晶シリコンウェハ:これらのウェハは複数のシリコン結晶から作られており、一結晶ウェハよりも安価に製造されますが、やや電子流動性が低くなります。
ソーラーウェハの製造プロセスは、高純度のシリコンインゴットを極めて薄く、そして円形にスライスすることから始まります。これらの円盤はウェハと呼ばれ、表面をテクスチャリングし、ドーピング(特定の不純物を添加して電気特性を変化させる)を行うことで、太陽電池の基礎を形成します。
主要なソーラーウェハのタイプは結晶性シリコンウェハとなり、主に2つのタイプがあります。
一結晶シリコンウェハ:これらは単結晶インゴットから切り出され、均一な結晶構造により効率が高く、優れた電子流動性を提供します。
多結晶シリコンウェハ:これらのウェハは複数のシリコン結晶から作られており、一結晶ウェハよりも安価に製造されますが、やや電子流動性が低くなります。
P-Type Solar Wafer Specifications
Size | M4 | M6 | M10 | M12 |
Geometry | Quasi Square | |||
Wafer Side length | 161.7±0.25 mm | 166±0.25 mm | 182±0.25 mm | 210±0.25 mm |
Wafer Diameter | φ221±0.25 mm | φ223±0.25 mm | φ247±0.25 mm | φ295±0.25 mm |
Resistivity | 0.5-1.5 Ωcm | |||
Lifetime | ≧50 μs | |||
Oxygen concentration | ≦8E+17 at/cm3 | |||
Carbon concentration | ≦5E+16 at/cm3 |
N-Type Solar Wafer
Size | G1 High Resistivity | G1 Low Resistivity | M0 | M1 | M2 |
Geometry | Full square | Full square | Pseudo square | Pseudo square | Pseudo square |
Wafer Side length | 158.75±0.25 mm | 158.75±0.25 mm | 156.0±0.25 mm | 156.0±0.25 mm | 156.0±0.25 mm |
Wafer Diameter | φ223±0.25 mm | φ223±0.25 mm | φ210±0.25 mm | φ205±0.25 mm | φ210±0.25 mm |
Resistivity | 1.0-7.0 Ω.cm | 0.3-2.1 Ω.cm | ≧1Ω.cm | ≧1Ω.cm | ≧1Ω.cm |
Lifetime | ≧500 μs | ≧1000 μs | ≧1000 μs | ≧1000 μs | ≧1000 μs |
Oxygen concentration | ≦8E+17 at/cm3 | ≦8E+17 at/cm3 | ≦8E+17 at/cm3 | ≦8E+17 at/cm3 | ≦8E+17 at/cm3 |
Carbon concentration | ≦5E+16 at/cm3 | ≦5E+16 at/cm3 | ≦5E+16 at/cm3 | ≦5E+16 at/cm3 | ≦5E+16 at/cm3 |