リソグラフィ

D&Xは、リソグラフィサービスの最先端を目指し、顧客の独自の要求に対応する高度にカスタマイズ可能なソリューションを提供しています。リソグラフィは、あらかじめ定義されたパターンをウェハ表面に転写する基本的なプロセスです。私たちの専門知識は、100mmから300mmのウェハを含むシリコンとガラスの基板に及びます。精密さと革新性を持って、私たちは特定の要件に合わせて調整されたリソグラフィサービスを提供し、半導体基板上の複雑なパターニングと特徴の製造において優れた結果を保証します。

リソグラフィの主要なステップには、次のものがあります：

フォトレジストコーティング：ウェハ表面には、フォトレジストと呼ばれる感光性材料の薄い膜が塗布されます。
露光：ウェハは、マスクまたはフォトマスクを通して光にさらされます。マスクには、ウェハに転写される必要があるパターンが含まれています。
デベロップ：露光されたウェハは、フォトレジストの露光部と未露光部を除去する工程を経て、パターン化されたフォトレジスト層が残ります。
エッチングまたはイオン注入：パターン化されたフォトレジストによって明らかにされたウェハの露出部は、エッチングやイオン注入などの追加プロセスを経て、ウェハの特性を修正します。
フォトレジストの除去：残留するフォトレジストは通常、除去され、ウェハに望ましいパターンのみが残ります。
このリソグラフィプロセスにより、複雑な半導体デバイスの大量生産が可能となります。
The primary steps in wafer lithography include:
- Photoresist Coating: a thin layer of photosesitive material, called photoresist, is applied to the wafer’s surface.
- Exposure: the wafer is exposed to light through a mask or photomask. The mask contains the pattern that needs to be transferred onto the wafer.
- Developing: the exposed wafer undergoes a developing process that removes the exposed and unexposed parts of the photoresist, leaving a patterned photoresist layer.
- Etching or Implantation: the exposed areas of the wafer, now revealed by the patterned photoresist, undergo further processes like etching or ion implantation to modify the wafer’s properties.
- Photoresist removal: the remaining photoresist is typically removed, leaving the desired pattern on the wafer.

This lithographic process allows for the mass production of intricate semiconductor devices.