化合物半導体

D&Xは、シリコンカーバイドウェハ(SiC)に焦点を当て、化合物材料の供給だけにとどまらない取り組みを行っています。D&Xは、SiCに特化した複数の生産ラインを確保し、確立された専門知識を活用してお客様の特定の要求にお応えしています。

D&Xがお客様のニーズを満たす自信は、卓越した長年の取り組みから生まれています。確立された実績とこれらの先進材料のアプリケーションに関する深い知識により、D&Xは半導体産業における信頼できるパートナーとしての地位を築いています。確立された生産ラインと専門的な知識の相乗効果で、最先端の半導体ソリューションを提供する上でD&Xは常に先頭に立ちリードをしていきます。

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01. 化合物半導体

D&Xがお客様のニーズを満たす自信は、卓越した長年の取り組みから生まれています。確立された実績とこれらの先進材料のアプリケーションに関する深い知識により、D&Xは半導体産業における信頼できるパートナーとしての地位を築いています。確立された生産ラインと専門的な知識の相乗効果で、最先端の半導体ソリューションを提供する上でD&Xは常に先頭に立ちリードをしていきます。

Silicon Carbide (SiC) Wafer Specifications

Grade		Zero MPD	Production	Research Grade	Dummy Grade
Diameter		50.8 ±0.38 mm // 76.2 ±0.38 mm // 100+0.5 mm // 150±0.25mm
Thickness	4H-N	350μm ± 25μm
Thickness	4H-SI	500μm ± 25μm
Wafer Crystal Orientation		Off axis:4.0° toward 1120! ± 0.5° for 4H-N On axis: <0001> ± 0. 5° for 4H-SI
Micropipe Density		<1cm-2	<5cm-2	<15cm-2	<50cm-2
Resistivity	4H-N	0.015 ~ 0.028ohm-cm
Resistivity	6H-N	0.02 ~ 0.1ohm-cm
Resistivity	4/6H-SI	>1E5Q-cm (90%)			>1E5Q-cm
Primary Flat		{10-10} ± 5.0°
Primary Flat Length		15.9 mm ± 1.7 mm // 22.2 mm ± 3.2 mm // 32.5 mm ± 2.0 mm // 47.5 mm ± 2.5mm
Secondary Flat Length		8.0 mm ± 1.7 mm // 11.2 mm ± 1.5 mm, 18.0mm ± 2.0 mm // —–
Secondary Flat Orientation		Silicon face up: 90° CW from Prime flat ± 5.0°

Indium Phosphide (InP) Specifications

Growth Method	VGF
Type/Dopant	Undoped // N/S/Sn // P/Zn
Size	2inch	3inch	4inch
Diameter (mm)	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.3
Thickness (um)	350±25	625±25	625±25
OF(mm)	16±2	22±2	32.5±2
IF(mm)	8±2	12±2	18±2
Orientation	(100)±0.5
TTV(um)	≦10	≦15	≦15
Bow(um)	≦15	≦15	≦15
Wrap(um)	≦15	≦15	≦15
Surface	Polished/Etched
Epi-ready	Yes

Gallium Arsenide (GaAs) Wafer Specification

Diamter	50 ~ 150mm ± 0.25mm(2″ // 3″ // 4″ // 6″)
Material	Single Crystal Gallium Arsenide
Growth Method	VGF // LEC Grown
Crystal Orientation	<100> // <111>
Crystal Orientation	α 0 ± β 0, off angle α and accuracy β upon request
Dopant	Undoped // Zn // Si // Te
Thickness	350 ± 25um // 550 ± 25um // 625 ± 25um
Mobility	1500 ~ 3000 // 3000 ~ 5000 cm2 / V·sec
Primary Flat	<0-1-1> ± 0.5deg, 16 ±1.0mm // 22±1.0mm // 32.5±1.0mm
Secondary Flat	<0-1-1> ± 5.0 deg, 8 ±1.0mm // 11±1.0mm // 18±1.0mm
Front-side	Polished in Epi-ready Prime grade
Back-side	Polished / Lapping or Etched
Epi-ready	Yes

Germanium (Ge) Wafer Specifications

Diameter	2 inch ~ 6 inch
Thickness	175um // 200um / 400um // 500um // 625um
Type/Dopant	Undoped	N/Sb	P/Ga
Resistivity (Ω・cm)	>30	>0.005	>0.005-0.04
EP(/cm2)	<3000	<3000	0
Orientation	<100> // <111>
TTV	≤25μm
Bow	≤25μm
Wrap	≤25μm
Surface	E/E // P/E // P/D
Epi-ready	Yes

Indium Antimonide (InSb) Wafer Specifications

Growth Method	VGF
Type/Dopant	Undoped // N/S/Sn // P/Zn
Diameter(mm)	50.8 ± 0.3	76.2 ± 0.3
Thickness(um)	500 ± 25	650 ± 25
OF(mm)	16 ± 2	22 ± 2
IF(mm)	8 ± 2	12 ± 2
Orientation	<100>
TTV(um)	≤10	≤15
Bow(um)	≤15	≤15
Wrap(um)	≤15	≤15
Surface	Polished/Etched
Epi-ready	Yes

Indium Arsenide (InAs) Wafer Specifications

Growth Method	VGF
Type/Dopant	Undoped // N/S/Sn // P/Zn
Diameter(mm)	50.8 ± 0.3	76.2 ± 0.3	100 ± 0.3
Thickness(um)	500 ± 25	600 ± 25	800 ± 25
OF(mm)	16 ± 2	22 ± 2	32.5 ± 2
IF(mm)	8 ± 2	12 ± 2	18 ± 2
Orientation	<100> // <111>
TTV(um)	≤10	≤10	≤15
Bow(um)	≤10	≤10	≤15
Wrap(um)	≤15	≤15	≤15
Surface	Polished/Etched
Epi-ready	Yes

Gallium Nitride (GaN) Wafer Specifications

Growth Method	HVPE
Conduct Type	Semi-Insulating	N	N
Type/Dopant	Fe	Ge	Undoped
Size	10×10.5mm // 100.5 ± mm
OF location/length	<1-100> ± 0.5° // 32.0 ± 1.0mm
IF location/length	<11-20> ± 3° // 18.0 ± 1.0mm
Orientation	C-plane<0001> off angle toward M-Axis 0.35° ± 0.15mm
Resistivity(300k)	≧1E6 ohm-cm <0.05ohm.cm <0.5ohm.cm
EPD	(1 ~ 9)E5/cm2 5E5 ~ 3E6/cm2 (1 ~ 3)E6/cm2
Ra(nm)	Frount surface Ra ≤0.2nm
TTV(um)	≤ 15
Bow(um)	≤ 20
Wrap(um)	≤ 20
Epi-ready	Yes