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D&Xは、シリコンカーバイドウェハ(SiC)に焦点を当て、化合物材料の供給だけにとどまらない取り組みを行っています。D&Xは、SiCに特化した複数の生産ラインを確保し、確立された専門知識を活用してお客様の特定の要求にお応えしています。
D&Xがお客様のニーズを満たす自信は、卓越した長年の取り組みから生まれています。確立された実績とこれらの先進材料のアプリケーションに関する深い知識により、D&Xは半導体産業における信頼できるパートナーとしての地位を築いています。確立された生産ラインと専門的な知識の相乗効果で、最先端の半導体ソリューションを提供する上でD&Xは常に先頭に立ちリードをしていきます。
現在利用可能な仕様については、D&Xの在庫リストをご参照ください。
化合物半導体
迅速な配達
少量歓迎
高品質
01. 化合物半導体
D&Xがお客様のニーズを満たす自信は、卓越した長年の取り組みから生まれています。確立された実績とこれらの先進材料のアプリケーションに関する深い知識により、D&Xは半導体産業における信頼できるパートナーとしての地位を築いています。確立された生産ラインと専門的な知識の相乗効果で、最先端の半導体ソリューションを提供する上でD&Xは常に先頭に立ちリードをしていきます。
Silicon Carbide (SiC) Wafer Specifications
| Grade | Zero MPD | Production | Research Grade | Dummy Grade | |
| Diameter | 50.8 ±0.38 mm // 76.2 ±0.38 mm // 100+0.5 mm // 150±0.25mm | ||||
|
Thickness
|
4H-N | 350μm ± 25μm | |||
|
Thickness
|
4H-SI | 500μm ± 25μm | |||
| Wafer Crystal Orientation | Off axis:4.0° toward 1120! ± 0.5° for 4H-N On axis: <0001> ± 0. 5° for 4H-SI | ||||
| Micropipe Density | <1cm-2 | <5cm-2 | <15cm-2 | <50cm-2 | |
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Resistivity
|
4H-N | 0.015 ~ 0.028ohm-cm | |||
|
Resistivity
|
6H-N | 0.02 ~ 0.1ohm-cm | |||
|
Resistivity
|
4/6H-SI | >1E5Q-cm (90%) | >1E5Q-cm | ||
| Primary Flat | {10-10} ± 5.0° | ||||
| Primary Flat Length | 15.9 mm ± 1.7 mm // 22.2 mm ± 3.2 mm // 32.5 mm ± 2.0 mm // 47.5 mm ± 2.5mm | ||||
| Secondary Flat Length | 8.0 mm ± 1.7 mm // 11.2 mm ± 1.5 mm, 18.0mm ± 2.0 mm // —– | ||||
| Secondary Flat Orientation | Silicon face up: 90° CW from Prime flat ± 5.0° | ||||
Indium Phosphide (InP) Specifications
| Growth Method | VGF | ||
| Type/Dopant | Undoped // N/S/Sn // P/Zn | ||
| Size | 2inch | 3inch | 4inch |
| Diameter (mm) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 |
| Thickness (um) | 350±25 | 625±25 | 625±25 |
| OF(mm) | 16±2 | 22±2 | 32.5±2 |
| IF(mm) | 8±2 | 12±2 | 18±2 |
| Orientation | (100)±0.5 | ||
| TTV(um) | ≦10 | ≦15 | ≦15 |
| Bow(um) | ≦15 | ≦15 | ≦15 |
| Wrap(um) | ≦15 | ≦15 | ≦15 |
| Surface | Polished/Etched | ||
| Epi-ready | Yes | ||
Gallium Arsenide (GaAs) Wafer Specification
| Diamter | 50 ~ 150mm ± 0.25mm(2″ // 3″ // 4″ // 6″) |
| Material | Single Crystal Gallium Arsenide |
| Growth Method | VGF // LEC Grown |
| Crystal Orientation | <100> // <111> |
| Crystal Orientation | α 0 ± β 0, off angle α and accuracy β upon request |
| Dopant | Undoped // Zn // Si // Te |
| Thickness | 350 ± 25um // 550 ± 25um // 625 ± 25um |
| Mobility | 1500 ~ 3000 // 3000 ~ 5000 cm2 / V·sec |
| Primary Flat | <0-1-1> ± 0.5deg, 16 ±1.0mm // 22±1.0mm // 32.5±1.0mm |
| Secondary Flat | <0-1-1> ± 5.0 deg, 8 ±1.0mm // 11±1.0mm // 18±1.0mm |
| Front-side | Polished in Epi-ready Prime grade |
| Back-side | Polished / Lapping or Etched |
| Epi-ready | Yes |
Germanium (Ge) Wafer Specifications
| Diameter | 2 inch ~ 6 inch | ||
| Thickness | 175um // 200um / 400um // 500um // 625um | ||
| Type/Dopant | Undoped | N/Sb | P/Ga |
| Resistivity (Ω・cm) | >30 | >0.005 | >0.005-0.04 |
| EP(/cm2) | <3000 | <3000 | 0 |
| Orientation | <100> // <111> | ||
| TTV | ≤25μm | ||
| Bow | ≤25μm | ||
| Wrap | ≤25μm | ||
| Surface | E/E // P/E // P/D | ||
| Epi-ready | Yes | ||
Indium Antimonide (InSb) Wafer Specifications
| Growth Method | VGF | |
| Type/Dopant | Undoped // N/S/Sn // P/Zn | |
| Diameter(mm) | 50.8 ± 0.3 | 76.2 ± 0.3 |
| Thickness(um) | 500 ± 25 | 650 ± 25 |
| OF(mm) | 16 ± 2 | 22 ± 2 |
| IF(mm) | 8 ± 2 | 12 ± 2 |
| Orientation | <100> | |
| TTV(um) | ≤10 | ≤15 |
| Bow(um) | ≤15 | ≤15 |
| Wrap(um) | ≤15 | ≤15 |
| Surface | Polished/Etched | |
| Epi-ready | Yes | |
Indium Arsenide (InAs) Wafer Specifications
| Growth Method | VGF | ||
| Type/Dopant | Undoped // N/S/Sn // P/Zn | ||
| Diameter(mm) | 50.8 ± 0.3 | 76.2 ± 0.3 | 100 ± 0.3 |
| Thickness(um) | 500 ± 25 | 600 ± 25 | 800 ± 25 |
| OF(mm) | 16 ± 2 | 22 ± 2 | 32.5 ± 2 |
| IF(mm) | 8 ± 2 | 12 ± 2 | 18 ± 2 |
| Orientation | <100> // <111> | ||
| TTV(um) | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| Bow(um) | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| Wrap(um) | ≤15 | ≤15 | ≤15 |
| Surface | Polished/Etched | ||
| Epi-ready | Yes | ||
Gallium Nitride (GaN) Wafer Specifications
| Growth Method | HVPE | ||
| Conduct Type | Semi-Insulating | N | N |
| Type/Dopant | Fe | Ge | Undoped |
| Size | 10×10.5mm // 100.5 ± mm | ||
| OF location/length | <1-100> ± 0.5° // 32.0 ± 1.0mm | ||
| IF location/length | <11-20> ± 3° // 18.0 ± 1.0mm | ||
| Orientation | C-plane<0001> off angle toward M-Axis 0.35° ± 0.15mm | ||
| Resistivity(300k) | ≧1E6 ohm-cm <0.05ohm.cm <0.5ohm.cm | ||
| EPD | (1 ~ 9)E5/cm2 5E5 ~ 3E6/cm2 (1 ~ 3)E6/cm2 | ||
| Ra(nm) | Frount surface Ra ≤0.2nm | ||
| TTV(um) | ≤ 15 | ||
| Bow(um) | ≤ 20 | ||
| Wrap(um) | ≤ 20 | ||
| Epi-ready | Yes | ||