曝光服務

D&X 致力於走在曝光服務的前端，提供高度定製化的解決方案，以滿足客戶的獨特要求。
晶圓曝光是將預定義圖案轉移到晶圓表面的基本過程。我們的專業工藝涵蓋矽和玻璃基底，包括從 100 毫米到 300 毫米的晶圓。
我們以精確和創新為宗旨，提供符合特定要求的曝光服務，確保在半導體基底上製作複雜圖案和特征時取得優異的效果。

晶圓曝光的關鍵步驟如下：

光阻劑塗層：在晶片表面塗上一層薄薄的光敏材料，稱為光阻劑。
曝光：通過掩膜或光罩將晶片暴露在光線下。 掩膜中包含需要轉移到晶片上的圖案。
顯影：曝光的晶片經過顯影過程，去除曝光和未曝光區域的光阻劑，留下圖案光阻劑層。
蝕刻或離子注入：圖案化光阻劑所顯示的晶片暴露區域需要經過額外的工藝，如蝕刻或離子注入，以改變晶片的特性。
去除光阻劑：通常會去除殘留的光阻劑，在晶片上留下所需的圖案。
這種曝光工藝可實現複雜半導體器件的大量生產。